삼성, 2D 낸드 시대 마감.. 화성 12라인 1c D램 엔드팹 전환

 

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이에 따라 삼성전자의 2D 낸드 시대는 공식적으로 막을 내린다. 삼성전자는 2002년 세계 최초로 1기가비트(Gb) 낸드플래시를 양산하며 플래시 메모리 시장 1위에 올랐다. 이후 2013년 3D V낸드 양산에 성공하면서 업계의 기술 패러다임이 수직 적층 구조로 전환됐다. 3D 낸드 첫 양산 이후 약 13년 만에 2D 낸드 마지막 생산 거점이 문을 닫게 된 것이다.
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삼성전자는 지난달 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서도 "플래너 낸드 단종 포함 레거시 공정의 선단 공정 전환"을 언급한 바 있다. 2D 낸드는 USB 메모리 등 저가 저장장치에 일부 쓰여왔다. 그러나 3D 낸드로의 전환이 완료되면서 수요가 급감했다. 주요 낸드 업체가 3D로 전환을 마쳤다.
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국내에서 줄어드는 낸드 물량은 중국 시안 공장에서 대체할 것으로 보인다. 삼성전자는 시안 공장의 3D 낸드 공정을 선단 세대로 전환하는 작업을 추진 중이다.
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12라인은 D램 엔드팹으로 전환된다. 엔드팹은 전공정 내에서도 메탈 배선과 마무리 등 후반 공정을 처리하는 시설이다. 12라인이 화성 내 다른 D램 라인의 물량을 분담하면서 전체 생산 효율을 높이는 역할을 하게 될 것으로 보인다.
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이번 조치는 삼성전자의 D램 생산능력 확충 전략의 일환이다. 삼성전자는 평택과 화성 전반에서 동시다발적으로 1c D램 투자를 확대하고 있다. 평택 P4는 당초 D램과 낸드, 파운드리를 모두 생산할 수 있는 하이브리드 팹으로 설계됐다. 그러나 최근 D램 중심으로 투자 계획을 바꿨다.
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기존 화성 라인에서도 구세대 D램 공정을 1c로 전환하는 투자가 이뤄지는 중이다. 여기에 이번 12라인의 엔드팹 전환까지 더해졌다. 업계에서는 이런 투자가 마무리되면 삼성전자의 전체 D램 생산능력 중 1c D램 비중이 상당 부분을 차지할 것으로 보고 있다.
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(출처: 삼성, 2D 낸드 시대 마감…화성 12라인 1c D램 엔드팹 전환)